[18a-B409-1~9] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

△ [18a-B409-2] 光応答性部位の協奏による高いイオン伝導度スイッチング材料の開発

〇青木 健太郎¹、長尾 祐樹¹ (1.北陸先端大)

キーワード：光応答性材料、イオン伝導体、伝導度スイッチング

我々は光応答性部位を2つ導入した配位子とFeイオンから構成される錯体を合成し、単結晶X線回折測定からその構造を同定した。この錯体の光照射前後のプロトン伝導度変化を検討したところ、2つの光応答性部位のいずれかを異性化させた際のイオン伝導度スイッチングのオン・オフ比は10²程と比較的小さい一方、両者を同時に異性化させることで協奏効果を誘起し、10⁵という高いイオン伝導度スイッチングを示すことを見出した。