[18p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18p-B401-1] Design of Transverse QPM Waveguide using Multiple Polarity Inverted AlN Structure

〇Hiroto Honda¹, Ryo Momosaki¹, Tomohiro Tamano², Kanako Shojiki^1,3, Hideto Miyake³, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ., 2.Fac. of Eng. Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng. Mie Univ.)

Keywords:Wavelength conversion, Nitride semiconductor, Optical Devices

AlN は吸収端波長が 210 nm と短く、ワイドギャップであるため遠紫外発光デバイスの材料とし て注目されているが、従来の波長変換材料でみられる強励起下における吸収増大や多光子吸収が 報告されないことから、スクイーズド光源に代表される可視域から近赤外域への波長変換デバイ スにも適した材料である。その AlN を用いた波長変換の方法に極性反転構造を用いた横型擬似位相整合（横型 QPM）があり、我々は2層極性反転 AlN 薄膜を用いて遠紫外第二高調波発生（SHG）を実証した。さらに、スパッタ成膜と アニール処理回数を増やすことで多層極性反転膜の作製が可能となると考え、本研究では 多層極性反転膜を用いた横型 QPM の高効率 SHG 実証に向けて近赤外域から可視域への波長変換デバイスの設計を行った。