[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-B401-1] 多層極性反転 AlN 構造を用いた横型 QPM 導波路の設計

〇本田 啓人¹、百崎 怜¹、玉野 智大²、正直 花奈子^1,3、三宅 秀人³、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大工、3.三重大院工)

キーワード：波長変換、窒化物半導体、光デバイス

AlN は吸収端波長が 210 nm と短く、ワイドギャップであるため遠紫外発光デバイスの材料とし て注目されているが、従来の波長変換材料でみられる強励起下における吸収増大や多光子吸収が 報告されないことから、スクイーズド光源に代表される可視域から近赤外域への波長変換デバイ スにも適した材料である。その AlN を用いた波長変換の方法に極性反転構造を用いた横型擬似位相整合（横型 QPM）があり、我々は2層極性反転 AlN 薄膜を用いて遠紫外第二高調波発生（SHG）を実証した。さらに、スパッタ成膜と アニール処理回数を増やすことで多層極性反転膜の作製が可能となると考え、本研究では 多層極性反転膜を用いた横型 QPM の高効率 SHG 実証に向けて近赤外域から可視域への波長変換デバイスの設計を行った。