[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-B401-3] RF-MBE法を用いたAlN成長のV/III比依存性

〇河上 結馬¹、杢谷 直哉¹、出浦 桃子²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード：窒化アルミニウム、MBE

AlNの結晶成長において、Al原子はマイグレーション長が短く蒸気圧がGaより1桁低いので、平坦かつドロップレットのない結晶表面が得られる成長条件領域は非常に狭い。そこで本研究では、GaN/Sapphireテンプレート基板上に高品質なAlN結晶を成長することを目的とし、結晶性および表面モフォロジーのⅤ/Ⅲ比依存性を調べた。