[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-B401-6] フラックス法による窒化アルミニウム単結晶育成

〇川崎 克己¹、大井戸 敦¹ (1.TDK)

キーワード：窒化アルミニウム、フラックス法、単結晶

窒化アルミニウム(AlN)は、約6.2eVの広いバンドギャップを有し、窒化ガリウム(GaN)と全率固溶して窒化アルミニウムガリウム(AlGaN, Al_xGa_1-xN [x=0~1])を形成する半導体である。深紫外発光の用途に加え、パワーデバイス、高周波デバイスへの応用が期待される。我々は液相成長に着目し、溶液法の一種であるフラックス法によるAlN単結晶育成の検討を行ってきた。その成果を報告する。