[18p-D411-1~7] 2.2 Radiation physics fundamentals & applications, radiation generators, new technology

[18p-D411-7] Evaluation of radiation tolerance of SOI pixel detectors for the future X-ray missions

〇TAKAYOSHI KOMURA¹, Uchida Yuusuke¹, Kitajima Masatoshi¹, Tsunomachi Shun¹, Doi Toshiki¹, Takesue Yuuki¹, Ito Naoki¹, Shimizu Makoto¹, Hagino Kouichi², Tsuru Tsuyoshi³, Uchida Hiroyuki³, Uenomachi Mizuki³, Amano Yuuki³, Kayama Kazuho³, Matsuda Masamune³, Mori Koji⁴, Takeda Ayaki⁴, Nishioka Yuusuke⁴, Ikumoto Masaki⁴, Ishida Tatsunori⁴, Iwakiri Uzuki⁴, Izumi Daisuke⁴, Kawashima Rikuto⁴, Magata Kouyo⁴, Tanaka Takaaki⁵, Suzuki Masahiro⁵, Nobukawa Kumiko⁶, Arai Yasuo⁷, Kurachi Ikuo⁸ (1.Tokyo Univ of Science, 2.Univ of Tokyo, 3.Kyoto Univ, 4.Univ of Miyazaki, 5.Konan Univ, 6.Kindai Univ, 7.KEK, 8.D&S)

Keywords:X-ray detector, SOI, Radiation Damage

我々は，次世代のX線天文衛星搭載用の「イベント駆動型SOIピクセル検出器」を開発している。Si半導体製のSOIピクセル検出器を宇宙空間で運用するには、陽子を主成分とする高エネルギー粒子線による放射線損傷への耐性が要求される。我々は、放射線医学総合研究所のがん治療装置HIMACを用いて陽子線などを照射し、その放射線耐性の評価を行なっている。本講演では，放射線耐性の結果について報告する。