第４部門②

[2D05-08-04] 高Reynolds 数条件下での円柱表面への粒子衝突効率のStokes 数依存性

*服部 康男¹、長谷部 憂麿²、須藤 仁¹、中尾 圭佑¹、石原 修二² (1. 電力中央研究所、2. （株）電力計算センター)

キーワード：ラージ・エディ・シミュレーション、乱流、混相流、後流

高レイノルズ数条件下における円柱周りの粒子を含む乱流場のラージ・エディ・シミュレーションを実行した．特に，円柱表面での粒子衝突効率のレイノルズ数およびストークス数による変化に注視した．円柱前面では，レイノルズ数の影響は無視でき，衝突効率はストークス数とともに増加する．一方，円柱後面では，衝突効率はストークス数に対して極大値を有するとともに，レイノルズ数とともに漸増した．このような円柱後面での衝突効率の挙動は，高レイノルズ数条件下における後流域の円柱表面近傍の複雑な流動様式によるものである．