スケジュール 2 14:25 〜 14:35 [2-14B] 遷移金属イオンドーピングによるナノ結晶シリコン中のバンドエンジニアリング *白幡 直人1,2,3、増田 佳丈4 (1. 物質・材料研究機構、2. 中央大学、3. 北海道大学、4. 産業技術総合研究所) キーワード:不純物ドーピング、シリコン、ナノ粒子 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証