スケジュール 3 15:00 〜 15:15 [1-32A] ピエゾエレクトロニック磁気抵抗素子の圧力印加構造の設計および試作 ○北川 涼太1、小野澤 隼1、スタットラー 嘉也1、高村 陽太1、春本 高志2、史 蹟2、中村 吉男2、中川 茂樹1 (1. 東京工業大学 工学院 電気電子系、2. 東京工業大学 物質理工学院 材料系) キーワード:磁気抵抗メモリ、ピエゾエレクトロニック磁気抵抗素子、応力アシストスピン注入磁化反転、逆磁歪効果、垂直磁気異方性 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証