DX/GX時代の電子部品材料開発

[2-32A] マルチフェロイック物質BiFeO₃の4d,5d元素置換による弱強磁性化

*小野 大樹¹、西久保 匠^2,1、酒井 雄樹^2,1、重松 圭^1,2、東 正樹^1,2 (1. 東京工業大学、2. 神奈川県立産業技術総合研究所) (※この発表者は優秀講演発表賞の対象者です。)

キーワード：マルチフェロイック材料、超低消費電力メモリ、高圧合成法、弱強磁性