高X線吸収デバイス内部の希薄試料に対するXAFS計測法の開発

[11P-76] 高X線吸収デバイス内部の希薄試料に対するXAFS計測法の開発

*宇留賀朋哉¹、金子拓真¹ (1. 高輝度光科学研究センター)

キーワード：XAFS、希薄試料、高吸収材料

抄録パスワード認証
抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。
※パスワードは12/19にメールにてお送りしました。参加証にも記載がございます。