[1Dp01-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[1Dp02] NdNiO₃の水素化による金属絶縁体転移

*松澤 郁也¹、小澤 孝拓¹、西谷 侑将¹、Sidik Umar²、服部 梓²、田中 秀和²、福谷 克之^1,3 (1. 東京大学生産技術研究所、2. 大阪大学産業科学研究所、3. 日本原子力研究開発機構)

ペロブスカイトRNiO3は温度変化により金属絶縁体転移を示します。一方、最近の研究では、SmNiO₃の電気抵抗は水素ドープにより室温で大幅に上昇することが示されています。ただしその水素誘発金属絶縁体転移のメカニズムはよく理解されていません。私達の研究の目的は、水素濃度と電子構造の関係を実験的に測定することによりRNiO₃における水素誘起金属絶縁体転移のメカニズムを解明することです。