[2Ca07-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[2Ca09Y] 高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いたc軸配向窒化ガリウム薄膜の低温成膜

*本村 大成¹、田原 竜夫¹、上原 雅人¹ (1. 国立研究開発法人産業技術総合研究所 センシングシステム研究センター)

スパッタ成膜法による低温成膜の特長を活かしつつ薄膜の品質を向上させるために、外部コイルと永久磁石によって発生させた収束磁場を用いて高密度プラズマをターゲットに収束照射可能なスパッタリング装置を提案してきた。本装置の収束磁場により基板のイオンダメージや温度上昇を抑制する効果が期待される。本発表では本装置を用いて得られたGaN薄膜の低温エピタキシャル様成長の基板温度依存性について述べる。