[3Ba01-12] スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会「スパッタ・プラズマで切り拓くナノ構造の世界」

[3Ba12S] 三極型反応性HPPMSを用いたHfNスピント型エミッタの試作と構造制御

*小沢 真¹、ミヤ モハメッド シュルズ¹、中野 武雄¹、村田 博雅²、村上 勝久²、長尾 昌善² (1. 成蹊大学　大学院、2. 産業技術総合研究所)

三極型大電力パルススパッタ(t-HPPMS)による先鋭なエミッタの作製を試みている。Moよりもイオン化しやすい材料と言われるHfを用いることで、エミッタのアスペクト比(AR：半値高さ/半値幅)が最大2.3の鋭いHfN製エミッタを作製できた。ただし、電子放出には形状最適化が必要であった。本研究では、反応性t-HPPMSによってHfN製エミッタの試作および先端の突出を抑えたエミッタの作製をした。