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Oral Presentation

D: Laser processing

[D05-20a-IV] 材料プロセシング

Wed. Jan 20, 2021 9:15 AM - 10:30 AM IV

Chair:Yasutaka Hanada

9:15 AM - 9:30 AM

[D05-20a-IV-01] 【論文発表賞応募演題】
エネルギー変調したピコ秒パルス列によるSiC結晶内部加工

*Tomoki Mizuta¹, Yasuhiko Shimotsuma¹, Masahiro Shimizu¹, Kiyotaka Miura¹ (1. Kyoto University)

9:30 AM - 9:45 AM

[D05-20a-IV-02] 【論文発表賞応募演題】
アルミニウム合金のレーザーピーニングにおけるカバレッジ依存性

*Masahiro Yoshiike¹, Ryuya Nishimura¹, Noor Shahira Masroon¹, Manabu Heya², Miho Tsuyama¹, Hitoshi Nakano¹ (1. Kindai Univ., 2. Osaka Sangyo Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[D05-20a-IV-03] パルスレーザー誘起プルームの衝突過程で生成される複合ナノ粒子の構造と雰囲気ガス圧力の相関

*Ren Okada¹, Keita Katayama², Tamao Aoki¹, Hiroshi Fukuoka³, Takehito Yoshida⁴, Ikurou Umezu¹ (1. Konan Univ., 2. Kyusyu Univ., 3. NIT. Nara College, 4. NIT. Anan College)

10:00 AM - 10:15 AM

[D05-20a-IV-04] 強度分布を有するレーザーアニール法により形成された低温多結晶Si薄膜の結晶成長とトランジスタ特性

*Akira Mizutani^1,2, Fuminobu Hamano³, Kaname Imokawa², Goto Tetsuya⁴, Daisuke Nakamura³, Hiroshi Ikenoue^1,3 (1. Dept. of Gigaphoton Next GLP, Kyushu Univ., 2. Gigaphoton Inc., 3. Kyushu Univ., 4. Tohoku Univ.)

10:15 AM - 10:30 AM

[D05-20a-IV-05] KrFエキシマレーザーを用いたSiCレーザードーピング後の表面状態パルス幅依存性の解明

*Toshifumi Kikuchi¹, Daisuke Nakamura¹, Hiroshi Ikenoue¹ (1. Kyushu Univ.)

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