[D05-20a-IV] 材料プロセシング

[D05-20a-IV-04] 強度分布を有するレーザーアニール法により形成された低温多結晶Si薄膜の結晶成長とトランジスタ特性

*Akira Mizutani^1,2, Fuminobu Hamano³, Kaname Imokawa², Goto Tetsuya⁴, Daisuke Nakamura³, Hiroshi Ikenoue^1,3 (1. Dept. of Gigaphoton Next GLP, Kyushu Univ., 2. Gigaphoton Inc., 3. Kyushu Univ., 4. Tohoku Univ.)