10:00 〜 10:15 [D05-20a-IV-04] 強度分布を有するレーザーアニール法により形成された低温多結晶Si薄膜の結晶成長とトランジスタ特性 *水谷 彬1,2、濵野 史暢3、妹川 要2、後藤 哲也4、中村 大輔3、池上 浩1,3 (1. 九州大学 ギガフォトンNext GLP 共同研究部門、2. ギガフォトン株式会社、3. 九州大学、4. 東北大学未来研) 予稿パスワード認証予稿の閲覧にはパスワードが必要です。第41回年次大会のzoomミーティングの会議室番号とパスワードにつきましては、1月18日のAM8時頃に一斉配信いたします．その際に、予稿のパスワードも併せてお知らせします． パスワード 認証
