09:45 〜 10:00
[1101-10-04] 銅電解精製におけるアンチモンの酸化挙動
司会: 八木俊介(東京大学)
キーワード:アンチモン、酸化、銅電解精製
当研究室では銅電解におけるSb(III)の酸化および浮遊スライムの生成挙動について研究を行っている。銅電解精製においてSbはAs,Biとともに一部は溶液に、一部はスライムに分配する。一般的に水溶液中のSbは3価(Sb(III))と5価(Sb(V))が安定なイオンであり、Sb(V)は浮遊スライム生成の原因とも言われている。これは電気銅不純物や異常析出の原因の一つと考えられている。本研究はSb(III)の酸化について検討したものであり、昨年の報告では脱銅電解を想定し鉛電極を用いたアノードにおけるSb(V) への酸化について調べ、電解によりSb(V)が生成し、塩化物イオン共存下では酸化速度が大きくなることがわかった。今回はアノードに銅板を用いる電解精製を想定した実験を行った。その結果、空気雰囲気ではSb(V)が生成した。一方、窒素雰囲気ではSb(V)生成はほとんど見られなかった。また、電解を行わず、空気雰囲気下で銅粉または酸化銅(I)を加えた場合にもSb(V)が生成した。
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