資源・素材2019(京都)

講演情報(2019年8月9日付 確定版)

若手ポスター発表 ショート講演

プロセス・素材分野ショート講演1

2019年9月25日(水) 09:30 〜 11:32 第5会場 (C1 3階 グローバルホール人融(311))

11:24 〜 11:32

[2K0501-14-14] CS2ガス硫化法によるγ-Nd2S3の合成と顔料特性を持つ電波吸収体としての可能性(発表者:修士課程)

○中泉 慎吾1、平井 伸治1、日高 貴志夫2 (1. 室蘭工業大学、2. 山形大学)

キーワード:Nd2S3、希土類三二硫化物、CS2ガス硫化、電波吸収体、顔料特性

Nd2S3は、1323±50 Kで低温安定相である斜方晶α相から誘電体である正方晶β相に相変態し、さらに1773±200 KでTh3P4型立方晶のγ相に相変態する。γ相はNd3-YS4(0≦Y≦0.33)とも表わされ、Yに依存する導体と半導体に別れる[1]。一般的な電波吸収体は、誘電体に黒鉛粉や鉄粉などを混合して見掛けの誘電損失を大きくしている。そこで、相変態を利用し、β相のNd2S3にγ相のNd2S3を残存させれば、見掛けの誘電損出を大きくすることができ、萌黄色のNd2S3をそのまま活かした電波吸収体になる可能性がある。本研究では、微細粒子のNd2O3粉末(0.67 μm)のCS2ガス硫化を行い、β, γ混相のNd2S3の生成を試みた。出発原料には平均粒径0.67 µmのNd2O3粉末を用い、CS2ガス硫化を行った。その結果、硫化時間を10.8 ks一定とした場合、硫化温度に依存することなくα-Nd2S3が生成した。硫化時間が3.6 ks一定では、1323 Kにおいてβ-Nd2S3単相、1373 Kではβ, γ混相のNd2S3、1423 Kでは従来報告されている1773±200 Kよりも大幅に低い温度でγ-Nd2S3単相が得られた。
[1]M.Picon et al.,Bull.Soc.Chim.France, 27,221(1960).

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