10:40 〜 11:00
[3K0201-07-05] 塩化物浴からの電析Niの気泡痕に及ぼす原板表面性状の影響
司会:八木俊介(東京大学)
キーワード:電析、ニッケル、気泡痕、水素発生、過電圧
塩化物浴からの電析Niの気泡痕に及ぼす原板表面性状の影響を明らかにするためにNiCl2 1.47 mol/L, pH2の溶液にて無攪拌,280 A/m2の条件にて電解を行なった。電析時の水素発生状況をその場観察できる電解セルおよび電解法にて表面性状の異なるNi原板を作製し,水素の発生状況をIn-situ観察したところ,水素は,原板の孔のある同一箇所から繰り返し発生し,気泡痕となることが分かった。気泡痕の周辺部からは,Ni, Oが検出され,陰極界面のpH上昇によりNi(OH)2, NiOが残存することが予想された。Ni2+を含まないNa2SO4のみを含むpH2の水溶液において,水素発生に及ぼす原板表面性状の影響を調査した結果,凹凸のある原板上で水素過電圧が低下し水素発生が促進されることが分かった。また,Ni(OH)2が残存していると予想されるNi原板上で水素発生が促進されており,水素発生に対するNi(OH)2の触媒作用が示唆された。
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