環境

[3K0408-14-04] 休廃止鉱山の自然回帰に資するススキへの電界印加による生長促進および重金属耐性向上の検討

○増野 小太郎¹、菅原 一輝¹、加藤 茂¹、鈴木 誠一¹ (1. 成蹊大学)

司会：中島一紀（北海道大学）

キーワード：生長促進、ススキ、電界印加、重金属耐性

鉱山操業の採掘跡地から排出される抗廃水への対策として、休廃止鉱山の自然回帰による緑化が注目されている。より高効率な緑化対策のため、過去の我々の研究において明らかになった交流電界印加による植物の生長促進効果を用いることで、重金属濃度の高い休廃止鉱山においても生長促進が可能かどうかの検討を行った。

鉱山跡地から採取したススキ(Miscanthus sinensis)種子を7週間育苗し、水耕栽培条件下にて50 Hz 交流電界を0 V/m・50 V/m・100 V/m・150 V/m・200 V/mの強度で2週間電界印加し、根の長さを測定した。さらに、225, 450, 675 mg/L塩化アルミニウムを含む1/3Hoagland培地で100 V/m電界印加・無印加のススキを36日間それぞれ栽培し、電界印加が重金属耐性に与える影響を検討した。

　ススキは100 V/mの電界印加で生長促進効果が確認され、また200 V/m以上では生長が阻害されることが示された。また、アルミニウムを含む環境で生育させたススキは、電界印加株と無印加株間で生長と重金属の吸収・蓄積挙動は大きな違いは見られなかった。