【企画講演／招待講演】 現場担当者会議・日本メタル経済研究所エンジニアリングセッション

[1K0104-06-02] Development of HRDP^® for advanced package production

○Katsuyuki Hayashi¹, Yoshinori Matsuura¹, Rintarou Ishii¹, Takashi Kubota¹, Joji Fujii¹ (1. MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.)

司会：大内隆成（東京大学）

Keywords:HRDP, RDL, SiP, FOWLP, FOPLP, Chip last

半導体デバイスは集積回路の微細化により進化した。2年で集積率が約2倍になるMoore則に従い性能が向上してきたが、近年では開発のコストや長期化などの課題が多い。そこで、集積回路の微細化によらない性能向上を行うため、複数の異種機能を持った半導体チップをワン・パッケージングしたSiP(System in Package)構造の技術が注目されている。SiPでは半導体チップ間の電気的接続を行う再配線層が必要であるが、再配線の微細化、SiPの低背化、歩留りなどの課題がある。そこで、三井金属では微細再配線層を効率的に製造するキャリア材料としてHRDP^®を開発した。
HRDP^®はキャリア基板となるガラスやシリコンウエハー上にスパッタリング法で複数の機能層膜を形成した構造である。特徴として①製品形状の多様性 ②微細配線形成性 ③耐熱性を持つ。丸や四角形状で供給可能のため様々な顧客要求に対応できる。また、HRDP^®上にLine/Space=2/2umレベルの再配線層を形成でき、かつ260℃の耐熱性を持つため、高温プロセス後でも安定してキャリア基板を除去できる。三井金属ではHRDP^®上に微細配線を形成し、チップ実装、モールド、キャリア基板剥離を行い、SiPを製造することが可能であることを確認した。