13:45 〜 14:05
[3507-19-03] 銅結晶異方成長の電気化学解析と精密制御による高アスペクト比銅ナノワイヤの創出
司会：小池 克明（京都大学）
キーワード：銅、ナノワイヤ、電気化学、異方成長、液相還元法
情報端末等のディスプレイには透明導電膜として酸化インジウムスズ(ITO)が幅広く用いられている。ITOは高い光透過性、導電性、安定性をもつ一方で、インジウムの希少性から枯渇が懸念され、ITOと同様の性能を持ち資源的制約の少ない材料の探索が急務である。これまで、低環境負荷な液相還元法を用いて、資源制約の少ない銅のナノワイヤを銅結晶を異方的に成長させて合成し、透明導電膜を形成してきた。ナノワイヤ透明導電膜の性能はナノワイヤのアスペクト比(長さ/直径)に起因して変化するが、厳密な異方成長の制御ができずナノワイヤは低アスペクトとなり、性能が低いのが現状であった。異方成長はナノワイヤの側面に界面活性剤が吸着し、端部に銅が優先的に析出して達成されるが、この界面活性剤の吸着と端部への優先析出は経験的な制御のみ行われており、最適な制御が行われていない。そこで、本研究では銅結晶の異方成長について電気化学的に解析することで、最適な吸着剤や反応条件を見出し、高アスペクト比銅ナノワイヤの低環境負荷合成とその透明導電膜性能の評価と向上を試みている。詳細な研究内容や目標について当日発表を行う。