Georg Schönweger1, Adrian Petraru1, Md Redwanul Islam2, Niklas Wolff2, Timo Rieß2, Fabian Lofink3, Lorenz Kienle2, Hermann Kohlstedt1, *Simon Fichtner2,3
(1. Institute of Electrical Engineering and Information Engineering, Kiel University, Kaiserstr. 2, D-24143 Kiel (Germany), 2. Institute for Material Science, Kiel University, Kaiserstr. 2, D-24143 Kiel (Germany), 3. Fraunhofer Institute for Silicon Technology (ISIT), Fraunhoferstr. 1, D-25524 Itzehoe (Germany))
キーワード:Ferroelectric, AlScN, wide bandgap semiconductor, compound semiconductor, high temperature
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