Cryogenic Electron Mobility and Subthreshold Slope of Oxygen-Inserted (OI) Si Channel nMOSFETs

講演情報

Poster

2023年9月28日(木) 15:00 〜 16:30 Meeting Room1

Chair: Shunsuke Koba (Kobe City Col. Tech.), Hideki Minari (Sony Semiconductor Solutions)

*Hiu Yung Wong¹, Hideki Takeuchi², Robert J. Mears² (1. San Jose State University, 2. Atomera, Inc.)

抄録パスワード認証
抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。