[B-4-13] 光走査式変調散乱素子を用いたミリ波帯の電界分布計測
キーワード：変調散乱、電界計測、光変調、ミリ波、半導体、EMC
ミリ波帯の電磁界分布を高速に計測することを目的として，光走査式の光学的変調散乱素子を用いた高周波電界計測システムを試作した．同軸ー導波管アダプタを電磁波源とし，30 GHzの信号を給電した．波源直上に設置したシリコン単結晶基板を散乱体とし，これにダイオードレーザの出力光を照射して変調散乱素子とした．角度可変ミラーで散乱体上の光照射位置を走査し，各位置における散乱波強度を計測することにより，高周波電界の強度分布を求めた．その結果，導波管開口7.1×3.6 mm内の電界分布を計測可能な空間分解能をもつことが判った．また，SN比計測から30 GHz で-78 dBm の給電電力を検出できる感度を持つことを明らかとした．
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