[C-10] 電子デバイス

[C-10-2] Photovoltaic effect in MOCVD-deposited p-CuO/n-Si heterojunctions

^○菅原嵩人¹, 渡部智大², 石川博康³ (1.芝浦工大, 2.芝浦工大, 3.芝浦工大)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

Keywords:アニール温度依存性

常圧MOCVD法を用いてn-Si基板上にCuO薄膜を堆積し、O2雰囲気アニールによりCuO薄膜をp型化させ、p-CuO/n-Si基板ヘテロ接合を作製した。O2アニール温度を350～500℃で変化させ、薄膜の抵抗率変化及び光起電力特性を評価した。as-depo.膜は高抵抗であったが、O2アニール温度と共に抵抗率は低下しp型伝導を示した。ヘテロ接合素子の拡散電位、最大出力電力は350℃で最大値をとり、アニール温度と共に低下した。p-CuO/n-Si基板界面の急峻性の劣化が原因と考えている。