[C-2-15] 倍電圧整流器ICの高調波輻射量の評価結果
この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。
キーワード：GaAs E-pHEMT、Gated anode diode、倍電圧整流器、高調波輻射
本報告では，倍電圧整流器ICの高調波輻射量の評価結果を報告する．一般的な倍電圧整流器の等価回路をもとにしたレイアウト(Layout A)と平滑用MIMキャパシタの配置を変え，対称構造にしたレイアウト(Layout B)を比較する．その結果として，Layout Aは入力電力25.6dBmのとき，整流効率67.2%，出力電圧8.6Vを得ている．Layout Bも同等である．また，2倍波電力への変換損の測定値は，Layout Aでは-38.5dBc@Pin = 25.6dBm，Layout Bでは-41.3dBc@Pin = 25.6dBmである．レイアウトを対称とすることにより2倍波の高調波輻射レベルが2.8dB抑制することができる．
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