[C-2-15] Evaluation results of double voltage rectifier harmonic radiation
この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。
Keywords:GaAs E-pHEMT、Gated anode diode、倍電圧整流器、高調波輻射
本報告では,倍電圧整流器ICの高調波輻射量の評価結果を報告する.一般的な倍電圧整流器の等価回路をもとにしたレイアウト(Layout A)と平滑用MIMキャパシタの配置を変え,対称構造にしたレイアウト(Layout B)を比較する.その結果として,Layout Aは入力電力25.6dBmのとき,整流効率67.2%,出力電圧8.6Vを得ている.Layout Bも同等である.また,2倍波電力への変換損の測定値は,Layout Aでは-38.5dBc@Pin = 25.6dBm,Layout Bでは-41.3dBc@Pin = 25.6dBmである.レイアウトを対称とすることにより2倍波の高調波輻射レベルが2.8dB抑制することができる.
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