IEICE Society Conference 2023

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一般セッション

エレクトロニクス » 一般セッション(C)

[C-2A] マイクロ波A

Thu. Sep 14, 2023 9:00 AM - 11:45 AM 全学教育棟 本館 南棟 1階S11講義室

座長:福田敦史(NTTドコモ),平川昂(ソフトバンク)

<11〜19>
マイクロ波研専

[C-2-15] Evaluation results of double voltage rectifier harmonic radiation

廣瀬裕也, 高屋凌平, 坂井尚貴, 伊東健治 (金沢工大)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

Keywords:GaAs E-pHEMT、Gated anode diode、倍電圧整流器、高調波輻射

本報告では,倍電圧整流器ICの高調波輻射量の評価結果を報告する.一般的な倍電圧整流器の等価回路をもとにしたレイアウト(Layout A)と平滑用MIMキャパシタの配置を変え,対称構造にしたレイアウト(Layout B)を比較する.その結果として,Layout Aは入力電力25.6dBmのとき,整流効率67.2%,出力電圧8.6Vを得ている.Layout Bも同等である.また,2倍波電力への変換損の測定値は,Layout Aでは-38.5dBc@Pin = 25.6dBm,Layout Bでは-41.3dBc@Pin = 25.6dBmである.レイアウトを対称とすることにより2倍波の高調波輻射レベルが2.8dB抑制することができる.

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