[C-2-9] 4.3Vppの出力電圧とパルス幅制御機能を備えた高速GaNスイッチング型エンベロープ増幅器用45nm SOI-CMOSドライバ回路
この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。
キーワード：CMOS、House-of-Cards、ドライバ回路、エンベロープ増幅器、エンベロープトラッキング
次世代基地局向け高周波増幅器のバックオフ動作時の効率を改善するエンベロープトラッキング増幅器用のエンベロープ増幅器には，高速・高効率・高電圧動作が可能なGaNを使用したスイッチング型の回路構成が用いられる． GaNスイッチング型エンベロープ増幅器(GaN EA)を駆動するために高速，高電圧出力が可能なシリコンドライバ回路が必要であるが，これまで研究例が報告されていない．本報告では，45nm SOI-CMOSプロセスを用いてシリコンドライバ回路を試作し，GaN EA用ドライバ回路としての有効性を確認した結果を報告する．
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