Planar GaAlAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

K. Morizuka; M. Obara; K. Tsuda; M. Asaka; H. Tamura; M. Mashita; J. Yoshida; A. Hojo

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.1984.LD-5-7

1984 International Conference on Solid State Devices and Materials

1984年8月30日〜 1984年9月1日
International Conference Center Kobe, Kobe, Japan

[LD-5-7] Planar GaAlAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

K. Morizuka、M. Obara、K. Tsuda、M. Asaka、H. Tamura、M. Mashita、J. Yoshida、A. Hojo (1.Toshiba R&D Center、2.Electron Device Engineering Lab., Toshiba Corp.)

https://doi.org/10.7567/SSDM.1984.LD-5-7

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