[PB-1-20] Vertical Si-MOSFETs with Channel Lengths Down to 45nm

H. Gossner、W. Kiunke、I. Eisele、L. Risch、K. Hofmann、R. Treichler、H. Cerva (1.Universitat der Bundeswehr Munchen、2.Siemens AG, Research Laboratories)

https://doi.org/10.7567/SSDM.1993.PB-1-20