65nm-node Low-Standby-Power FETs with HfAlOx Gate Dielectric

H. Ohji; K. Torii; T. Kawahara; T. Maeda; H. Itoh; A. Mutoh; R. Mitsuhashi; A. Horiuchi; H. Kitajima; F. Ootsuka; M. Yasuhira; T. Arikado

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2004.P2-13

2004 International Conference on Solid State Devices and Materials

2004年9月14日〜 2004年9月17日
Tower Hall Funabori, Tokyo, Japan

[P2-13] 65nm-node Low-Standby-Power FETs with HfAlOx Gate Dielectric

H. Ohji、K. Torii、T. Kawahara、T. Maeda、H. Itoh、A. Mutoh、R. Mitsuhashi、A. Horiuchi、H. Kitajima、F. Ootsuka、M. Yasuhira、T. Arikado (1.Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2004.P2-13

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