[J-6-1] Numerical Simulation of the Read Disturb Behavior on the ONO Scaling Margin in SONOS Flash Memory

C. H. Lee^1,2, C. W. Wu¹, S. W. Lin¹, T. H. Yeh¹, S. H. Gu¹, K. F. Chen¹, Y. J. Chen¹, J. Y. Hsieh¹, I. J. Huang¹, N. K. Zous¹, T. T. Han¹, M. S. Chen¹, W. P. Lu¹, K. C. Chen¹, T. Wang^1,2, C. Y. Lu¹ (1.Macronix International Co., Ltd, 2.National Chiao Tung Univ., Taiwan)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2008.J-6-1