New Charge Pumping Method for Extraction of Nitride Trap Energy Distribution in SONOS Flash Memory

W. H. Choi; S. S. Park; I. S. Han; H. M. Kwon; O. S. Yoo; M. K. Na; K. I. Choi; D. H. Nam; J. C. Om; S. S. Lee; H. S. Joo; H. D. Lee; G. W. Lee

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2008.J-6-4

2008 International Conference on Solid State Devices and Materials

Sep 23, 2008 - Sep 26, 2008
Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan

[J-6-4] New Charge Pumping Method for Extraction of Nitride Trap Energy Distribution in SONOS Flash Memory

W. H. Choi¹, S. S. Park¹, I. S. Han¹, H. M. Kwon¹, O. S. Yoo¹, M. K. Na¹, K. I. Choi¹, D. H. Nam¹, J. C. Om², S. S. Lee², H. S. Joo², H. D. Lee¹, G. W. Lee¹ (1.Chungnam National Univ., 2.Hynix Semiconductor Inc., Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2008.J-6-4

▲