[B-2-6L] In Situ Si Wafer Surface Temperature Measurement during Flash Lamp Annealing

Y. Yamada¹, T. Aoyama², H. Chino³, K. Hiraka³, J. Ishii¹, S. Kadoya³, S. Kato², H. Kiyama⁴, H. Kondo⁴, T. Kuroiwa⁴, K. Matsuo⁴, T. Owada⁵, T. Shimizu³, T. Yokomori⁵ (1.AIST(Japan), 2.Semiconductor Leading Edge Tech. Inc.(Japan), 3.Chino Corp.(Japan), 4.Dainippon Screen Manufac. Co. Ltd.(Japan), 5.Ushio Inc.(Japan))

https://doi.org/10.7567/SSDM.2009.B-2-6L