Hole Tunnel Currents in TiN/HfSiO<sub>x</sub>N/SiO<sub>2</sub>/p-Si(100) MOS Capacitors

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials

2009年10月6日〜 2009年10月9日
Sendai Kokusai Hotel, Miyagi, Japan

Khairurrijal¹、F. A. Noor¹、M. Abdullah¹、 Sukirno¹、A. Ohta²、S. Miyazaki² (1.Institut Teknologi Bandung(Indonesia)、2.Hiroshima Univ.(Japan))