Raman Spectroscopy Measurement of Silicidation Induced Stress in Si and its Impact on Performances of Metal Source/Drain MOSFETs

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

2010年9月21日〜 2010年9月24日
The University of Tokyo, Tokyo, Japan

S. Migita¹、V. Poborchii¹、T. Tada¹、Y. Morita¹、W. Mizubayashi¹、H. Ota¹ (1.AIST , Japan)