Y-disturb Study of Charge-trapping Type Non-volatile Memory Cell for 45nm Generation Node

T. F. Ou; C. H. Cheng; W. C. Tzeng; G. D. Lee; S. H. Ku; C. H. Liu; K. W. Liu; N. K. Zous; W. J. Tsai; S. W. Huang; M. S. Chen; W. P. Lu; K. C. Chen; C. Y. Lu

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2010.E-4-1

[E-4-1] Y-disturb Study of Charge-trapping Type Non-volatile Memory Cell for 45nm Generation Node

T. F. Ou¹, C. H. Cheng¹, W. C. Tzeng¹, G. D. Lee¹, S. H. Ku¹, C. H. Liu¹, K. W. Liu¹, N. K. Zous¹, W. J. Tsai¹, S. W. Huang¹, M. S. Chen¹, W. P. Lu¹, K. C. Chen¹, C. Y. Lu¹ (1.Macronix Int'l Co., Ltd. , Taiwan)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2010.E-4-1

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

[E-4-1] Y-disturb Study of Charge-trapping Type Non-volatile Memory Cell for 45nm Generation Node