Fabrication of Poly-Si TFT on Polycarbonate Substrate at Temperatures below 135<sup>o</sup>C

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

2010年9月21日〜 2010年9月24日
The University of Tokyo, Tokyo, Japan

G. Nakagawa¹、N. Kawamoto²、T. Imamura³、Y. Tomizawa³、T. Miyoshi²、K. Tadatomo²、T. Asano¹ (1.Kyushu Univ.、2.Yamaguchi Univ.、3.TEIJIN Ltd. , Japan)