Lateral High-Voltage 4H-SiC MOSFETs

W. S. Lee; C. W. Lin; M. S. Yang; C. F. Huang; J. Gong; Z. Feng

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2010.P-14-1

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

2010年9月21日〜 2010年9月24日
The University of Tokyo, Tokyo, Japan

[P-14-1] Lateral High-Voltage 4H-SiC MOSFETs

W. S. Lee¹、C. W. Lin¹、M. S. Yang¹、C. F. Huang¹、J. Gong²、Z. Feng³ (1.National Tsing Hua Univ.、2.TongHai Univ. , Taiwan、3.University of South Carolina , USA)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2010.P-14-1

▲