Electron and hole mobility comparison in a single Ge-MOSFET fabricated on 50 nm-thick GeOI substrate

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

2010年9月21日〜 2010年9月24日
The University of Tokyo, Tokyo, Japan

D. D. Zhao¹、C. H. Lee¹、T. Nishimura^1,2、K. Nagashio^1,2、K. Kita^1,2、A. Toriumi^1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.JST-CREST , Japan)