Effects of Ti interfacial layer on resistive switching memory performance using Cu filament in high-k Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>solid-electrolyte

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

A. K. Sahoo¹、S. Z. Rahaman¹、S. Maikap¹、H. Y. Lee²、W. S. Chen²、F. T. Chen²、M. J. Kao²、M. J. Tsai² (1.Chang Gung Univ.、2.ITRI , Taiwan)