High-Frequency Characterization of Vertical InAs Nanowire Wrap-Gate FETs on Si(111) Substrates

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

S. Johansson¹、M. Egard¹、S. G. Ghalamestani¹、M. Borg¹、M. Berg¹、E. Lind¹、L. E. Wernersson¹ (1.Lund Univ. , Sweden)