Tilted domain and indium content of MOVPE-grown InGaN layer on <i>m</i>-plane GaN substrate

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

K. Shojiki¹、T. Hanada^1,2、T. Shimada¹、Y. Liu^1,2、R. Katayama^1,2、T. Matsuoka^1,2 (1.Tohoku Univ.、2.CREST-JST , Japan)