Analysis of Bottom Channel Effect in Silicon Nanowire FET based on Bulk-Silicon: Reduction of Parasitic Capacitance caused by SiGe layer

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

M. D. Ko¹、S. H. Lee¹、R. H. Baek¹、C. H. Park¹、C. W. Sohn¹、C. K. Baek^1,2、J. S. Lee¹、Y. H. Jeong¹ (1.POSTECH、2.NCNT , Korea)