A Multi Switching Current Study of Single-Electron Transistors Using Side Gate Bias Effect

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

J. E. Lee¹、K. W. Kim¹、J. H. Lee¹、K .C. Kang¹、H. Shin¹、K. Yoh²、B. G. Park¹ (1.Seoul National Univ. , Korea、2.Hokkaido Univ. , Japan)