Effect of Etch Damage on Device performance in Trench-gate and Mesa-gate GaN Vertical MOSFET

K. W. Kim; S. D. Jung; M. K. Kwon; R. H. Kim; D. S. Kim; K. S. Im; H. S. Kang; C. H. Won; K. I. Jang; J. H. Lee; K. S. Kim

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2011.P-6-2

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

[P-6-2] Effect of Etch Damage on Device performance in Trench-gate and Mesa-gate GaN Vertical MOSFET

K. W. Kim¹、S. D. Jung¹、M. K. Kwon¹、R. H. Kim¹、D. S. Kim¹、K. S. Im¹、H. S. Kang¹、C. H. Won¹、K. I. Jang¹、J. H. Lee¹、K. S. Kim² (1.Kyungpook National Univ.、2.Samsung LED , Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2011.P-6-2

▲