Effect of Etch Damage on Device performance in Trench-gate and Mesa-gate GaN Vertical MOSFET

K. W. Kim; S. D. Jung; M. K. Kwon; R. H. Kim; D. S. Kim; K. S. Im; H. S. Kang; C. H. Won; K. I. Jang; J. H. Lee; K. S. Kim

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2011.P-6-2

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

Sep 27, 2011 - Sep 30, 2011
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

[P-6-2] Effect of Etch Damage on Device performance in Trench-gate and Mesa-gate GaN Vertical MOSFET

K. W. Kim¹, S. D. Jung¹, M. K. Kwon¹, R. H. Kim¹, D. S. Kim¹, K. S. Im¹, H. S. Kang¹, C. H. Won¹, K. I. Jang¹, J. H. Lee¹, K. S. Kim² (1.Kyungpook National Univ., 2.Samsung LED , Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2011.P-6-2

▲