Characterization of phosphorus-implanted n+/p Ge junctions by reversely biased leakage current and Raman spectroscopy

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials

2012年9月25日〜 2012年9月27日
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan

C. H. Lee^1,2、T. Tabata^1,2、T. Nishimura^1,2、K. Nagashio^1,2、K. Kita^1,2、A. Toriumi^1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.JST-CREST , Japan)