Effective Mobility Enhancement in Al2O3/InSb/Si Quantum Well MOSFETs for Thin InSb Channel Layers

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials

2012年9月25日〜 2012年9月27日
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan

T. Ito¹、A. Kadoda¹、K. Nakayama¹、Y. Yasui¹、M. Mori¹、K. Maezawa¹、E. Miyazaki²、T. Mizutani² (1.Univ. of Toyama、2.Nagoya Univ. , Japan)